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供应2N7002ET1G
供应2N7002ET1G
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供应2N7002ET1G

型号/规格:

2N7002ET1G

品牌/商标:

ON(安森美)

封装形式:

SOT-23

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

贴片式

包装方式:

卷带编带包装

PDF资料:

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产品信息

产品种类: MOSFET
制造商: ON Semiconductor
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 260 mA
Rds On-漏源导通电阻: 2.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: ON Semiconductor
配置: Single
下降时间: 1.2 ns
高度: 0.94 mm
长度: 2.9 mm
Pd-功率耗散: 300 mW
产品: MOSFET Small Signal
上升时间: 1.2 ns
系列: 2N7002E
工厂包装数量: 3000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 4.8 ns
典型接通延迟时间: 1.7 ns
宽度: 1.3 mm
单位重量: 1.438 g